Zaproszeni wykładowcy
Marek Godlewski, Instytut Fizyki PAN
Atomic Layer Deposition - zastosowania w elektronice, optoelektronice oraz w biologii i medycynie
Marcin Klepka, Instytut Fizyki PAN
Rentgenowska spektroskopia fotoemisyjna jako narzędzie w badaniach strukturalnych
Wojciech Koczorowski, Politechnika Poznańska
Charakteryzacja wybranych materiałów TMD zawierających Se
Łukasz Kubiszyn, VIGO Photonics S.A.
Impact of MBE growth parameters on antimonide material properties: results review and technological challenges at VIGO Photonics
Krzysztof Mars, Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica
Właściwości termoelektryczne warstw SnSe otrzymywanych metodą magnetronową
Regina Paszkiewicz, Politechnika Wrocławska
AlGaN/GaN HEMT type transducers for gas and chem sensing applications
Ewa Przeździecka, Instytut Fizyki PAN
Tlenkowe struktury kwantowe w technologii MBE z plazmowym źródłem tlenu
Aleksandra Seweryn, Instytut Fizyki PAN (Laureatka nagrody im. Janusza Groszkowskiego w katergorii najlepsza rozprawa doktorska)
Rola spektroskopii fotoelektronów w zakresie promieniowania X w ocenie
osteo-regeneracyjnego potencjału dwutlenku hafnu otrzymywanego metodą
osadzania cienkich warstw atomowych
Henryk Turski, Instytut Wysokich Ciśnień PAN
Dualtronics: leveraging both faces of polar semiconductors
Sven Ulrich, Karlsruhe Institute of Technology (KIT), Niemcy
Carbon-based nanocomposites, prepared by magnetron sputtering and HiPIMS